35. Aufgabe: Feldeffekt Transistor (FET) 1

Höhere Technische Bundes- Lehr- und Versuchsanstalt (Bulme) Graz-Gösting
Elektrotechnisches Laboratorium Jahrgang 1984 / 1985

Klasse: 4AN
Gruppe: 8

1. Aufgabenstellung:

1.1. JFET als spannungsgesteuerter Widerstand

a) I_D = f(U_{DS})\ \dotsc \ |U_{DS}| < 1 V \dotsc  \text{ BF 245 B }

b)  R_{DS} = f(U_{GS}) \text{ ; } R_{DS} = \frac{U_{DS}}{I_D}

1.2 Steuerkennlinienaufnahme  \underline{I_D = f(U_{GS})}

a) für  U_{DS} = \pm 5\ V;\ \pm 10\ V

b) rechnerisch:  S= \frac{\Delta I_D}{\Delta U_{GS}} = f(U_{GS})

1.3. Durchbruchmessung

Der Durchbruch konnte bei  U_{DS} = 30\ V noch nicht gemessen werden.

 U_{DS} \text{ durfte wegen } U_{DS\max} = 30\ V im Datenblatt nicht mehr weiter erhöht werden. 

1.4 Source Schaltungen

a) Arbeitspunktberechnungen

b) AP-Messungen

c) Berechnung und Messung der Verstärkereigenschaften  r_e, r_a, \vartheta_0

BF 245 B: Gehäuse TO-92

Absolute Grenzwerte für  \underline{T_U = 25 \,^{\circ}\mathrm{C}}

 U_{DS} = \pm 30\ V

 U_{GS} = - 30\ V

 I_D = 25\ mA

 P_{tot} = 300\ mW

 -U_P = 0,5 - 8\ V\ |\ U_{DS} = 15\ V;\ I_D = 10\ nA

 \vartheta_J = 150\,^{\circ}\mathrm{C}

3. Geräte

Digital Trainer

4. Anmerkungen

Keine

10. Aufgabe: Übungsprotokoll